FLASH-ПАМЯТЬ С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ ИНТЕРФЕЙСОМ

  Основное отличие семейства "DataFlash" фирмы "Atmel" от обычных микросхем Flash-памяти - последовательный интерфейс доступа к памяти (уменьшается число активных выводов и размеры корпуса). Эти микросхемы оптимизированы для применения в устройствах хранения больших объемов данных (звук и изображение) при жестких требованиях к малому потреблению, высокой скорости передачи данных и малым габаритам самой микросхемы.

Характерные черты:
  • Высокоскоростной последовательный интерфейс: тип SPI (поддерживает режимы 0 и 3), максимальная тактовая частота - 20 МГц
  • Данные организованы в виде страниц определенного объема, для увеличения скорости работы с большим количеством информации
  • Наличие встроенных одного или двух SRAM-буферов, позволяет ускорить операции чтения/записи
  • Встроенные автоматы программирования/стирания
  • Однополярное питание 2,7…3,6 В
  • Функции аппаратной защиты данных
  • Программные и аппаратные возможности для контроля завершения операций чтения/записи
Фирмы "AMD"


Наименование Организация Размер SRAM
буфера, байт
Iпотр.макс.
(активный режим,
Ft=20 МГц),
мА
Iпотр.макс.
(режим программирования/
стирания), мА
Iпотр.макс.
(режим покоя,
уровни ТТЛ/КМОП),
мА
Корпус
AT45DB011B 1Мбит 1х264 10 25 10 SO8, TSSOP14
AT45DB021B 2Мбит 2х264 10 (Ft=15 МГц) 35 10 SO8, SO28, TSOP28
AT45DB041B 4Мбит 2х264 10 (Ft=15 МГц) 35 10 SO8, SO28, TSOP28
AT45DB081B1 8Мбит 2х264 10 35 10 SO28, TSOP28
AT45DB161B 16Мбит 2х528 10 35 10 SO28, TSOP28
AT45DB321B 32Мбит 2х528 10 35 10 TSOP32
AT45DB6422 64Мбит 2х1056 15 50 10 TSOP40
1 Микросхема также может поставляться для напряжения питания: 2,5…3,0 В
2 Микросхема имеет дополнительный параллельный интерфейс